收藏本站
High Current
MegaMOS TM FET
IXTK 62N25
V DSS
I D25
R DS(on)
= 250 V
= 62 A
= 35 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Preliminary Data Sheet
Symbol
Test conditions
Maximum ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C; R GS = 1.0 M ?
Continuous
250
250
±20
V
V
V
TO-264
V GSM
I D25
I DM
I AR
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
±30
62
248
62
V
A
A
A
G
D
S
D (TAB)
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
= 25 ° C
T C
45
1.5
5
390
mJ
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
T L
M d
Weight
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
Mounting torque
TO-264
300
0.7/6
10
° C
Nm/lb.in.
g
Features
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? International standard package
? Fast switching times
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 1 mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
250 V
?
?
?
Motor controls
DC choppers
Switched-mode power supplies
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
4.0
V
Advantages
I GSS
V GS = ±20 V DC, V DS = 0
±100
nA
?
Easy to mount with one screw
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25°C
T J = 125°C
50 μ A
2 mA
?
?
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2%
35 m ?
DS98877D(05/04)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTK75N30 MOSFET N-CH 300V 75A TO-264
IXTK80N25 MOSFET N-CH 250V 80A TO-264
IXTK82N25P MOSFET N-CH 250V 82A TO-264
IXTK8N150L MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264
IXTK90N15 MOSFET N-CH 150V 90A TO-264
IXTL2X180N10T MOSFET N-CH 100V ISOPLUS I5-PAK
IXTL2X200N085T MOSFET N-CH 85V ISOPLUS I5-PAK
IXTL2X220N075T MOSFET N-CH 75V ISOPLUS I5-PAK
相关代理商/技术参数
IXTK74N20 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current MegaMOSFET
IXTK75N30 功能描述:MOSFET 75 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK80N25 功能描述:MOSFET 80 Amps 250V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK82N25P 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK88N30P 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK8N150L 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK90N15 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK90N25L2 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube